11月18日至21日，第十屆國際第三代半導體論壇暨第二十一屆中國國際半導體照明論壇在江蘇蘇州舉行。2024年度中國第三代半導體技術(shù)十大進展在論壇上公布。其中，西安電子科技大學和西安交通大學的科研成果入選。

        郝躍院士課題組在6—8英寸藍寶石基氮化鎵中高壓電力電子器件技術(shù)上實現(xiàn)重大突破。課題組的李祥東教授告訴記者，團隊陸續(xù)攻克了該類電子器件外延、設(shè)計、制造和可靠性等系列難題，成果成功應用于功率半導體系列產(chǎn)品中。

        王宏興教授研究團隊成功實現(xiàn)2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石自支撐襯底國產(chǎn)化。團隊歷經(jīng)10年潛心研發(fā)，通過對成膜均勻性、溫場、流場及工藝參數(shù)的有效調(diào)控，獨立自主開發(fā)了2英寸異質(zhì)外延單晶金剛石自支撐襯底，提高了異質(zhì)外延單晶金剛石成品率與晶體質(zhì)量，并成功實現(xiàn)批量化生產(chǎn)。這一創(chuàng)新成果標志著我國在金剛石超寬禁帶半導體材料領(lǐng)域的研究已達到國際領(lǐng)先水平，為金剛石的半導體應用奠定了基礎(chǔ)。